Menu
Skrót klawiszowy: /
Skrót klawiszowy: /

Carrier transport and dielectric permittivity of SiO2 films containing ion-beam synthesized InSb nanocrystals.

Opis bibliograficzny

Carrier transport and dielectric permittivity of SiO2 films containing ion-beam synthesized InSb nanocrystals. [AUT.] PAWEŁ ŻUKOWSKI, [AUT. KORESP.] TOMASZ N. KOŁTUNOWICZ, [AUT.] KAROLINA CZARNACKA, ALEKSANDER K. FEDOTOV, IDA E. TYSCHENKO. J. Alloys Compd. 2020 Vol. 846 Article number 156482, il., bibliogr., sum. DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.156482
Kliknij opis aby skopiować do schowka

Szczegóły publikacji

Źródło:
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 2020 Vol. 846, Article number 156482
Rok: 2020
Język: Angielski
Charakter formalny: Artykuł w czasopismie
Typ MNiSW/MEiN: praca oryginalna

Informacje dodatkowe

Rekord utworzony:18 stycznia 2021 09:53
Ostatnia aktualizacja:1 stycznia 2023 23:06

Identyfikatory

BPP ID: (46, 47687) wydawnictwo ciągłe #47687

Metryki

100,00
Punkty MNiSW/MEiN
5,316
Impact Factor

Eksport cytowania

Wsparcie dla menedżerów bibliografii:
Ta strona wspiera automatyczny import do Zotero, Mendeley i EndNote. Użytkownicy z zainstalowanym rozszerzeniem przeglądarki mogą zapisać tę publikację jednym kliknięciem - ikona pojawi się automatycznie w pasku narzędzi przeglądarki.

Informacja o ciasteczkach (tych internetowych, nie tych słodkich i chrupiących...)

Ta strona wykorzystuje pliki cookie do poprawy funkcjonalności i analizy ruchu. Możesz zaakceptować wszystkie pliki cookie lub zarządzać swoimi preferencjami prywatności. Nawet, jeżeli nie zgodzisz się na używanie plików cookie na tej stronie, to informację o tym musimy zapamiętać w formie... pliku cookie, zatem jeżeli chcesz zadbać o swoją prywatność w pełni, zapoznaj się z informacjami, jak zupełnie wyłączyć możliwości śledzenia Ciebie w internecie.

✓ Zgadzam się ✗ Nie zgadzam się