AC dielectric properties of SiO2 thin layers implanted with In and Sb ions.
Opis bibliograficzny
Szczegóły publikacji
Streszczenia
In this paper results of AC measurements of phase angle theta, capacity C-p and loss tangent tg delta dependences on frequency and temperature for InSb-SiO2 nanocomposite, immediately after preparation are presented. The material was obtained by the implantation of In+ and Sb+ ions into a thin layer of SiO2. Based on mathematical and physical calculations, frequency dependence of conductivity sigma and relative permittivity epsilon(r) were determined. Activation energy of electrons was also calculated. This work refers to the hopping mechanism of conductivity.
Linki zewnętrzne
Identyfikatory
Metryki
Eksport cytowania
Wsparcie dla menedżerów bibliografii:
Ta strona wspiera automatyczny import do Zotero, Mendeley i EndNote. Użytkownicy z zainstalowanym rozszerzeniem przeglądarki mogą zapisać tę publikację jednym kliknięciem - ikona pojawi się automatycznie w pasku narzędzi przeglądarki.
Informacje dodatkowe
Rekord utworzony: | 25 października 2018 13:30 |
---|---|
Ostatnia aktualizacja: | 20 sierpnia 2021 10:19 |